RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2454
2935
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link