RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
80
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
80
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2455
1775
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link