Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

-->

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.8 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 12.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 33

Около -38% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 24
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

12.5 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3285 2517

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-084.A01LF 8GB

Kingston 9905471-084.A01LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

модули RAM