RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3437
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link