RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2434
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link