RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2583
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link