RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2808
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link