RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
63
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1863
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link