RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
4324
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link