RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
8.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1344
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link