RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2706
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link