RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3638
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link