RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
58
Около -176% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3380
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link