RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3758
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link