Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 73

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.9 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 73
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 1724

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-170.A00LF 2GB

Kingston 9905403-170.A00LF 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

модули RAM