RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1886
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link