RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link