RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link