RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2700
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link