RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2510
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link