RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link