RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3690
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link