Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 51

Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 11.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 26
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 19.7
Скорость записи, Гб/сек

11.8 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2687 3832

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

модули RAM