RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3519
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link