RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
24.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4174
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link