RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3926
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link