RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3823
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link