RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
51
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3355
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link