RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3564
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link