RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3083
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link