RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3021
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link