RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3529
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link