RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3372
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link