RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
63
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
63
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2061
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link