Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 41

Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19 10.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 21
Скорость чтения, Гб/сек

10.7 19.0
Скорость записи, Гб/сек

7.5 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1335 3216

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB

Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM