Mushkin 991988 (996988) 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Причины выбрать
Mushkin 991988 (996988) 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 24

Около 4% меньшая задержка

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 24
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.9 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2388 2703

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

модули RAM