Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB против Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.1 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.5 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 14.1
Скорость записи, Гб/сек

7.4 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2046 2414

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

модули RAM