Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.9 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.6 6.9

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 37

Около -16% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

37 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 11.2
Скорость записи, Гб/сек

8.6 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2090

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905711-035.A00G 8GB

Kingston 9905711-035.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

модули RAM