Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 92

Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.9 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 3134

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

модули RAM