RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3188
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link