RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
92
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
53
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2301
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link