RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2179
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link