RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
92
Около -207% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3059
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link