Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против AMD R744G2400U1S 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

AMD R744G2400U1S 4GB

Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 36

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 22
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 16.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 2862

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM