Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 78

Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 11.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 8.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 78
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 11.3
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 1816

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM