Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Средняя оценка

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,077.3 14.8

Среднее значение в тестах

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 61

Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,835.2 18.1
Скорость записи, Гб/сек

2,077.3 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

606 3505

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

модули RAM