Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

874.3 14.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 81

Около -212% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

81 26
Скорость чтения, Гб/сек

1,885.7 17.7
Скорость записи, Гб/сек

874.3 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

277 3055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

модули RAM