RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
874.3
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
81
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
81
30
Скорость чтения, Гб/сек
1,885.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
874.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
277
2374
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Сравнения RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link