RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
54
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3379
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link