RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3169
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link